提供各種電流電壓等級(jí)的碳化硅肖特基二極管和平面、溝槽柵碳化硅MOSFET，
產(chǎn)品可應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境及高溫環(huán)境，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平
B3D10065E
B4D30120H
B3D10065KF
B3D10065KS
B3D10065F
B3D50120H2
B4D60120H2
B3D25120H
B4D40120H
B2DM060065N1
B3D05120E
B3D20120H
B4D20120H
B3D40120HC
B2D60120H1
B2DM100120N1
B1D02065E
B1D02065K
B2D04065E1
B2D04065D1
B2D04065KF1
B2D04065V
B2D04065K1
B2D06065E1
B1D06065F
B2D06065K1
B2D06065KF1
B1D06065KS
B2D06065Q
B1D08065E
B1D08065F
B2D08065K1
B1D08065KF
B1D08065KS
B2D08065KS
B2D10065E1
B2D10065F1
B1D10065H
B2D10065K1
B2D10065KF1
B1D10065KS
B2D10065Q
B2D10065KS
B1D12065K
B1D15065K
B2D15065K
B2D16065HC1
B2D20065H1
B3D20065H
B2D20065HC1
B3D20065HC
B2D20065F1
B2D20065K1
B3D20065K
B2D20065TF
B2D30065HC1
B3D30065HC
B1D30065TF
B2D30065H1
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B2D40065HC1
B3D40065HC
B2D02120E1
B2D02120K1
B2D05120E1
B2D05120K1
B3D05120K
B2D10120E1
B3D10120E
B2D10120H1
B2D10120HC1
B3D10120HC
B2D10120K1
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B2D16120HC1
B2D20120H1
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B2D40120H1
B3D40120H
B4D40120H
B2D40120HC1
B3D40120HC
BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET
B2M160120H B2M160120Z B2M160120R
B2M080120H B2M080120Z B2M080120R
AB2M080120H AB2M080120Z AB2M080120R
B2M065120H B2M065120Z B2M065120R
B2M040120H B2M040120Z B2M040120R
AB2M040120Z AB2M040120R
B2M032120Y
*B2M030120H *B2M030120Z *B2M030120R
B2M020120Y
*B2M018120H *B2M018120Z
B2M011120HK
*B2M009120Y
B2M600170H B2M600170Z B2M600170R
Part No.
BMF240R12E2G3
汽車(chē)級(jí)全碳化硅功率模塊是基本公司為新能源汽車(chē)主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore™6汽車(chē)級(jí)HPD模塊（6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián)）、Pcore™2汽車(chē)級(jí)DCM模塊、Pcore™1汽車(chē)級(jí)TPAK模塊、Pcore™2汽車(chē)級(jí)ED3模塊等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本半導(dǎo)體最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，綜合性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，通過(guò)提升動(dòng)力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提高新能源汽車(chē)的能源效率和續(xù)航里程。
基本公司針對(duì)多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。我們的門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片、自舉橋式驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以?xún)?nèi)功率器件的門(mén)極驅(qū)動(dòng)需求。
BTD25350MMBWR 帶禁用功能，死區(qū)時(shí)間設(shè)置，米勒鉗位功能
BTD25350MMCWR
BTD25350MSBWR 帶禁用功能，死區(qū)時(shí)間設(shè)置，開(kāi)通、關(guān)斷分別控制
BTD25350MSCWR
BTD25350MEBWR 帶禁用功能，死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副邊正電源帶欠壓保護(hù)功能
BTD25350MECWR
BTD21520MAWR 雙通道同相輸入，
BTD21520MBWR 死區(qū)配置和禁用功能
BTD21520SAWR 雙通道同相輸入，
BTD21520SBWR 帶禁用功能
BTD21520EAWR 單PWM輸入，
BTD21520EBWR 死區(qū)配置和禁用功能
BTD21520MAPR 雙通道同相輸入， 死區(qū)配置和禁用功能雙通道同相輸入,
BTD21520MBPR 死區(qū)配置和禁用功能
BTD21520SAPR 雙通道同相輸入，
BTD21520SBPR 帶禁用功能
BTD21520EAPR 單PWM輸入，
BTD21520EBPR 死區(qū)配置和禁用功能
BTD5350MBPR 米勒鉗位功能
BTD5350MCPR
BTD5350MBWR
BTD5350MCWR
BTD5350SBPR 開(kāi)通、關(guān)斷
BTD5350SCPR
BTD5350SBWR 分別控制
BTD5350SCWR
BTD5350EBPR 副邊正電源
BTD5350ECPR
BTD5350EBWR 帶欠壓保護(hù)功能
BTD5350ECWR
BTL27523R 反相
BTL27523BR
BTL27524R 同相
BTL27524BR
隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本公司SiC碳化硅MOSFET！
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
傾佳電子（Changer Tech）專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H，F(xiàn)F5MR20KM1HP，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H，F(xiàn)F3MR20KM1HP。
傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲(chǔ)系統(tǒng)，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲(chǔ)能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。
大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復(fù)雜，頻率低，采用基本公司2000V系列SiC碳化硅MOSFET進(jìn)行兩電平改造，控制簡(jiǎn)單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以?xún)?yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
未來(lái)隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開(kāi)關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。
為滿(mǎn)足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、支持更高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。
針對(duì)新能源汽車(chē)的應(yīng)用需求，BASiC™基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車(chē)載充電機(jī)及汽車(chē)空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對(duì)于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級(jí)全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列，此驅(qū)動(dòng)芯片專(zhuān)為碳化硅MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開(kāi)通，還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。
為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶(hù)獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類(lèi)型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。
上海開(kāi)煙酒禮品發(fā) 票
上海開(kāi)咨詢(xún)費(fèi)發(fā) 票
德國(guó)牙科實(shí)驗(yàn)室 德國(guó)假牙工廠 德國(guó)義齒廠家國(guó)際義齒
美國(guó)義齒工廠 美國(guó)假牙廠家 深圳假牙加工廠出口外貿(mào)
迦百農(nóng)
揭秘?fù)淇伺破胀ㄅ茠呙枋謾C(jī)(2023年新科技)
給大家普及下有沒(méi)有普通撲克認(rèn)牌儀!
石特閥門(mén)集團(tuán)
邯鄲科勝DGS-25顆粒自動(dòng)包裝機(jī)|酒鬼花生包裝機(jī)河北包裝機(jī)
邯鄲科勝顆粒自動(dòng)包裝機(jī)|板栗包裝機(jī)|河北包裝機(jī)
60%IACS耐熱鋁合金桿
高導(dǎo)鋁桿
龍亞
龍亞
氰化鉀價(jià)格 CAS號(hào):151-50-8
鹽酸氫亞胺價(jià)格
半電動(dòng)液壓堆高車(chē)可通過(guò)操作桿調(diào)節(jié)上升和下降速度
枝秧分離毛豆采摘機(jī) 家用毛豆采摘機(jī) 青毛豆采摘機(jī)
邊收邊摘毛豆采摘機(jī) 鮮毛豆采摘機(jī) 青黃豆采摘機(jī)
壓縮空氣精密濾芯?1050Y?1050X?1050A
德國(guó)先達(dá)前置后置濾芯3075Y?3075X?3075A
CAS號(hào):6740-88-1
CAS號(hào):58-08-2
秦冶閥門(mén)集團(tuán)
無(wú)油壓縮空氣過(guò)濾器-304不銹鋼氣體除菌過(guò)濾器
氮?dú)獬^(guò)濾器
A-40噸進(jìn)口A系列重型滾輪小車(chē) 可定制帶導(dǎo)輥滾輪小車(chē)
特瑞堡橡膠起重氣墊20噸現(xiàn)貨 汽車(chē)維修用起重氣墊荷蘭進(jìn)口
T10皮帶扣,雙排扣T10皮帶扣
深冷處理齒輪零下196度 液氮深冷箱
軸承深冷處理設(shè)備 軸冷縮方法 匯富深冷箱直銷(xiāo)
鋼結(jié)構(gòu)作業(yè)、升降車(chē)出租、玻璃安裝打膠作業(yè)、東莞高空車(chē)出租服務(wù)
周轉(zhuǎn)架配件周轉(zhuǎn)架零件周轉(zhuǎn)架非標(biāo)架非標(biāo)料架
擱板貨架/中型貨架/層板型貨架/超便宜中型貨架
上虞井點(diǎn)降水價(jià)格上虞工地打降水井方案諸暨馬路基坑打深井降水
上虞井點(diǎn)降水價(jià)格上虞工地打降水井方案諸暨馬路基坑打深井排水
上海開(kāi)酒店住宿費(fèi)發(fā) 票
上海開(kāi)餐飲費(fèi)發(fā) 票
安徽捷越FAG圓錐滾子軸承32224A軋機(jī)軸承
安徽捷越FAG圓柱滾子軸承NU1032E.M1.C3
安徽捷越四點(diǎn)接觸球軸承QJ218-XL-N2-MPA-C3
安徽捷越圓柱滾子軸承NU2032-E-XL-MPAX-C3
安徽捷越FAG圓柱滾子軸承N322-E-XL-M1-C3
安徽捷越四點(diǎn)接觸球軸承QJ318-N2-MPA-C3 FAG
楊茜XHP封裝SiC碳化硅模塊
SiC模塊在構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能PCS應(yīng)用中全面取代IGBT模塊
SiC模塊替代英飛凌賽米控丹佛斯三菱FUJI富士IGBT模塊
芯火元助力中國(guó)電力電子自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)
YSK110/26-4 風(fēng)扇用電容運(yùn)轉(zhuǎn)異步電動(dòng)機(jī)
工業(yè)包裝膜可以撕掉嗎
工業(yè)包裝膜質(zhì)量要求
影響氧化鋁粉體速度的因素
楊茜62mm半橋碳化硅SiC MOSFET功率模塊
供應(yīng)國(guó)能ZYA變壓器油真空濾油機(jī)
深圳義齒工廠提供3d打印定制透明牙齒矯正器
中國(guó)的透明牙套直接3D打印 隱適美 隱形牙齒矯正器
煤礦傳送帶滾筒無(wú)動(dòng)力清掃器 輸送帶清掃器 濟(jì)寧向上金品
電動(dòng)推桿 多種場(chǎng)所不可或缺的通用動(dòng)力源 濟(jì)寧向上金品
