BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！實(shí)現(xiàn)中國(guó)電力電子自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！   為什么在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命！   儲(chǔ)能變流器（Power Conversion System）英文簡(jiǎn)稱(chēng)PCS，可控制蓄電池的充電和放電過(guò)程，進(jìn)行交直流的變換，在無(wú)電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。 儲(chǔ)能變流器PCS由DC/AC 雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。 根據(jù)功率指令的符號(hào)及大小控制變流器對(duì)電池進(jìn)行充電或放電，實(shí)現(xiàn)對(duì)電網(wǎng)有功功率及無(wú)功功率的調(diào)節(jié)。PCS儲(chǔ)能變流器，全稱(chēng)Power Conversion System，是儲(chǔ)能系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備，用于實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能電池與電網(wǎng)之間的能量轉(zhuǎn)換和雙向流動(dòng)。它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電，以滿(mǎn)足電網(wǎng)對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的充放電需求。PCS儲(chǔ)能變流器在儲(chǔ)能系統(tǒng)中扮演著“橋梁”的角色，連接著儲(chǔ)能電池和電網(wǎng)，確保儲(chǔ)能系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運(yùn)行。   PCS儲(chǔ)能變流器的應(yīng)用場(chǎng)景   1.能量時(shí)移：在用戶(hù)側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中，PCS儲(chǔ)能變流器可以用于能量時(shí)移，將白天時(shí)段內(nèi)光伏多余的發(fā)電量?jī)?chǔ)存起來(lái)，在晚上或者陰雨天氣無(wú)光伏發(fā)電量的時(shí)段內(nèi)再通過(guò)PCS釋放出來(lái)，可以實(shí)現(xiàn)光伏發(fā)電的最大化自發(fā)自用。   2.峰谷套利：在用戶(hù)側(cè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中，尤其是執(zhí)行分時(shí)電價(jià)的工商業(yè)園區(qū)，PCS儲(chǔ)能變流器可用于進(jìn)行峰谷套利，通過(guò)在電價(jià)低廉的時(shí)間段進(jìn)行充電，在電價(jià)高昂的時(shí)間段進(jìn)行放電，實(shí)現(xiàn)低充高放進(jìn)行套利，達(dá)到節(jié)省園區(qū)整體用電成本的目的。   3.動(dòng)態(tài)擴(kuò)容：在電力容量受限的場(chǎng)景，類(lèi)似電動(dòng)汽車(chē)充電站場(chǎng)景，通過(guò)PCS儲(chǔ)能變流器配置儲(chǔ)能電池來(lái)進(jìn)行動(dòng)態(tài)擴(kuò)容，充電高峰時(shí)候，PCS儲(chǔ)能變流器進(jìn)行放電，提供額外的功率支持；充電低峰時(shí)，PCS儲(chǔ)能變流器進(jìn)行充電，儲(chǔ)存低價(jià)的電能進(jìn)行備用，既能實(shí)現(xiàn)峰谷套利，又能給充電場(chǎng)站進(jìn)行動(dòng)態(tài)擴(kuò)容。   4. 微電網(wǎng)系統(tǒng)：在微電網(wǎng)系統(tǒng)中，PCS儲(chǔ)能變流器能夠?qū)崿F(xiàn)分布式電源與儲(chǔ)能系統(tǒng)的協(xié)調(diào)控制，提高微電網(wǎng)的穩(wěn)定性和供電質(zhì)量。通過(guò)PCS儲(chǔ)能變流器的精確功率控制和智能能量管理，可以實(shí)現(xiàn)微電網(wǎng)系統(tǒng)中電源和負(fù)荷的平衡和優(yōu)化調(diào)度。   5. 電力系統(tǒng)調(diào)頻調(diào)峰：在電力系統(tǒng)中，PCS儲(chǔ)能變流器可以用于調(diào)頻調(diào)峰，提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷高峰時(shí)，PCS儲(chǔ)能變流器可以釋放儲(chǔ)能電池中的能量，為電網(wǎng)提供額外的功率支持；當(dāng)電網(wǎng)負(fù)荷低谷時(shí)，PCS儲(chǔ)能變流器則可以吸收電網(wǎng)中的多余能量，為儲(chǔ)能電池充電，以備后用。   PCS儲(chǔ)能變流器的發(fā)展趨勢(shì)   目前在大型儲(chǔ)能電站中普遍采用集中式PCS,一臺(tái)大功率PCS同時(shí)控制多簇并聯(lián)的電池，電池簇間的不均衡問(wèn)題得不到有效的處理；而組串式PCS，一臺(tái)中小功率的PCS只控制一簇電池，實(shí)現(xiàn)一簇一管理，有效規(guī)避電池簇間的木桶效應(yīng)，提升系統(tǒng)壽命，提高全壽命周期放電容量，組串式PCS規(guī)?；瘧?yīng)用趨勢(shì)已見(jiàn)雛形，在工商業(yè)儲(chǔ)能一體柜中組串式PCS已成為行業(yè)主流方案，未來(lái)在大型儲(chǔ)能電站中也將實(shí)現(xiàn)大規(guī)?；瘧?yīng)用。   隨著新能源和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展以及儲(chǔ)能技術(shù)的不斷進(jìn)步，PCS儲(chǔ)能變流器將面臨更大的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)。未來(lái)，PCS儲(chǔ)能變流器將朝著更高效、更智能、更靈活的方向發(fā)展。   IGBT模塊在十幾 kHz開(kāi)關(guān)頻率中就會(huì)表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開(kāi)關(guān)頻率增加，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運(yùn)行，開(kāi)關(guān)損耗相對(duì)較低，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進(jìn)步使變流器總體積大幅度減少，效率提高，從而能夠在較低溫度下運(yùn)行并可能延長(zhǎng)組件的使用壽命。 為了滿(mǎn)足PCS儲(chǔ)能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC模塊全面取代IGBT模塊，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶(hù)在PCS生命周期里的收益。SiC模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲(chǔ)能變流器開(kāi)關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命！   儲(chǔ)能變流器（PCS）包括整流器和逆變器，決定著輸出電能的質(zhì)量與特征。并網(wǎng)模式下，在負(fù)荷低谷時(shí)，儲(chǔ)能變流器把電網(wǎng)中的交流電整流成直流電給電池組充電；在負(fù)荷高峰時(shí)，儲(chǔ)能變流器把電池組中的直流電逆變成交流電反送到電網(wǎng)中。因此，在新能源規(guī)模化并網(wǎng)的背景下，逆變器的控制技術(shù)是構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能的關(guān)鍵所在。 跟網(wǎng)型（Grid  Following）控制技術(shù)和構(gòu)網(wǎng)型（Grid Forming）控制技術(shù)。當(dāng)前，并網(wǎng)儲(chǔ)能逆變器通常采用跟網(wǎng)型控制技術(shù)。   構(gòu)網(wǎng)型變流器技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，其原理是通過(guò)模擬同步發(fā)電機(jī)特性來(lái)提升系統(tǒng)支撐能力。它分為電網(wǎng)跟蹤型和電網(wǎng)構(gòu)造型，構(gòu)網(wǎng)型變流器通過(guò)特定控制方式將變流器端口特性塑造為類(lèi)似同步發(fā)電機(jī)特性，具備頻率響應(yīng)、電壓調(diào)節(jié)和過(guò)載能力等特點(diǎn)，其直流側(cè)能量來(lái)源多樣，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)復(fù)雜，包括模塊化多電平、兩/三電平，主接線(xiàn)方式有角接拓?fù)浜椭绷魍負(fù)?，接入系統(tǒng)方式分為高壓直掛和低壓升壓后接入，儲(chǔ)能接入方式也有多種。   跟網(wǎng)型儲(chǔ)能的應(yīng)用主要集中在通過(guò)最大功率點(diǎn)跟蹤(maximum power point tracking，MPPT)技術(shù)向電網(wǎng)注入有功功率。因此，無(wú)功電源是很小的，往往接近于零。從整體循環(huán)效率的角度來(lái)看，跟網(wǎng)型儲(chǔ)能更有吸引力。而構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能的主要優(yōu)勢(shì)之一是調(diào)節(jié)電網(wǎng)的電壓和頻率，為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能中的有功功率和無(wú)功功率參考值不斷變化。   從控制的角度來(lái)看，跟網(wǎng)型儲(chǔ)能的行為可以近似為具有并聯(lián)高阻抗的受控電流源。與跟網(wǎng)型儲(chǔ)能相比，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能可以近似為具有低串聯(lián)阻抗的電壓源。跟網(wǎng)型儲(chǔ)能和構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能控制的另一個(gè)主要區(qū)別是，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能可以在沒(méi)有電網(wǎng)連接的情況下建立自己的參考電壓和頻率，具有和同步發(fā)電機(jī)類(lèi)似的運(yùn)行特性。因此，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能理論上可以在完全(100%)電力電子設(shè)備系統(tǒng)中運(yùn)行，可適用于弱電網(wǎng)和孤島，而跟網(wǎng)型儲(chǔ)能比較適用于具有強(qiáng)電網(wǎng)支撐的應(yīng)用場(chǎng)景。由于開(kāi)關(guān)設(shè)備的電流限制，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能的電力電子設(shè)備容量通常是很大，以滿(mǎn)足故障電流通流要求，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能的電力電子設(shè)備PCS中SiC模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲(chǔ)能變流器開(kāi)關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命！     BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在高壓變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在高性能變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在風(fēng)電變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在伺服驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在電能質(zhì)量APF應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC-PIM模塊在電梯變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT-PIM模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC-IPM模塊在空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用中全面取代IGBT-IPM模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在機(jī)車(chē)牽引變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！ BASiC™基半股份一級(jí)代理商致力于推動(dòng)SiC模塊在汽車(chē)電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中全面取代IGBT模塊！   構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)本質(zhì)上是電壓源，它能夠自主設(shè)定電壓參數(shù)，輸出穩(wěn)定的電壓與頻率，提升變流器的電壓、頻率支撐能力，增強(qiáng)電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性。在頻率和慣量支撐方面，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)通過(guò)控制釋放直流側(cè)儲(chǔ)能能量，等效為同步機(jī)慣量機(jī)械能或阻尼能量，進(jìn)而提供慣量響應(yīng)與振蕩抑制。   構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)由構(gòu)網(wǎng)型變流器、升壓變壓器和電力線(xiàn)路組成。系統(tǒng)容量的變化會(huì)直接影響構(gòu)網(wǎng)型變流器、升壓變壓器和電力線(xiàn)路的等效阻抗。因此，不能簡(jiǎn)單地將構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能視為理想電壓源。   在電壓支撐方面，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)通過(guò)功率同步控制機(jī)制，將儲(chǔ)能變流器塑造成電壓源外特性，可在不依賴(lài)外界交流系統(tǒng)的情況下，自行構(gòu)建交流側(cè)電壓幅值與相位，為電力系統(tǒng)提供強(qiáng)大的電壓支撐。因此，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)則更適合于可再生能源接入比例高的地區(qū)。   Grid-Forming構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能技術(shù)可提高系統(tǒng)強(qiáng)度、增加短路比，從而實(shí)現(xiàn)彈性電力系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)更高水平的可再生能源發(fā)電和可靠的能源運(yùn)輸。Grid-Forming構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能系統(tǒng)進(jìn)一步穩(wěn)固了電網(wǎng)電壓波形和高電能質(zhì)量，同時(shí)減輕了區(qū)域間或局部電網(wǎng)波動(dòng)。       構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能技術(shù)通過(guò)超配PCS方式提高過(guò)載能力構(gòu)建起支撐大電網(wǎng)穩(wěn)定運(yùn)行的電壓源，可以起到快速調(diào)頻調(diào)壓、增加慣量和短路容量支撐、抑制寬頻振蕩等作用，從而增強(qiáng)電力系統(tǒng)穩(wěn)定性。   區(qū)別于傳統(tǒng)跟網(wǎng)型儲(chǔ)能，構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能能夠主動(dòng)識(shí)別電網(wǎng)情況，更精細(xì)主動(dòng)地平抑電網(wǎng)波動(dòng)。   國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊! 基本SiC模塊替代Infineon英飛凌IGBT模塊，基本SiC模塊替代三菱IPM模塊，基本SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊，基本SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊，基本SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊！ 使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng)！-基半BASiC一級(jí)代理商專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo) 使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT變流器，實(shí)現(xiàn)更高的變流效率，更小的變流體積重量！更低的變流成本！   隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來(lái)已來(lái)！基半BASiC一級(jí)代理商專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET！基半BASiC一級(jí)代理商全力推進(jìn)基本公司™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT!   基半BASiC一級(jí)代理商致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!   基半BASiC一級(jí)代理商專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET-國(guó)產(chǎn)替代英飛凌IMYHM1H，IMYHM1H，IMYHM1H，IMYHM1H，IMYHM1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，F(xiàn)F4MR20KM1HP，F(xiàn)F3MR20KM1H，F(xiàn)F5MR20KM1HP，F(xiàn)F5MR20KM1H，F(xiàn)F4MR20KM1H，F(xiàn)F3MR20KM1HP。   基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代Infineon英飛凌FF900R12ME7W_B11，F(xiàn)F900R17ME7W_B11，F(xiàn)F450R12KT4，F(xiàn)F600R12ME4_B72，F(xiàn)F750R12ME7_B11，F(xiàn)F900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，F(xiàn)F600R12KE7，F(xiàn)F800R12KE7   基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代賽米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17   基本公司™SiC碳化硅MOSFET功率模塊兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50   基半BASiC一級(jí)代理商致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!   基半BASiC一級(jí)代理商致力于SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊，SiC單管在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT單管，650V SiC碳化硅MOSFET在電源應(yīng)用中全面取代Super Junction超結(jié)MOSFET!   國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲(chǔ)系統(tǒng)，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲(chǔ)能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器以及2000V光儲(chǔ)系統(tǒng)，2000V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器-MPPT飛跨碳化硅SiC模塊和逆變SiC模塊，2000V系統(tǒng)儲(chǔ)能變流器PCS，2000V系統(tǒng)固態(tài)斷路器等。   IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來(lái)越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來(lái)越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提高開(kāi)關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以?xún)?yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過(guò)采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開(kāi)關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。   未來(lái)隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。 為此，BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開(kāi)關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。   為滿(mǎn)足光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求，BASiC™基半股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開(kāi)關(guān)損耗、支持更高開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行等特點(diǎn)。 針對(duì)新能源汽車(chē)的應(yīng)用需求，BASiC™基半股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™研發(fā)推出符合AEC-Q101認(rèn)證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應(yīng)用在車(chē)載充電機(jī)及汽車(chē)空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中。 B3M040120Z是BASiC™基半股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對(duì)于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性方面有更進(jìn)一步提升。   相較于傳統(tǒng)封裝形式，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導(dǎo)體的通流能力可以提升約40%，或者同樣電流輸出使用的半導(dǎo)體用量減少1/3。同樣功率輸出條件下，功率模塊物料成本有望降低20%。PCB布局設(shè)計(jì)相對(duì)于傳統(tǒng)封裝設(shè)計(jì)更加靈活，大大加快了工程開(kāi)發(fā)的迭代速度和客戶(hù)交付速度。受到封裝限制而難以在傳統(tǒng)逆變器中實(shí)現(xiàn)的高級(jí)電路拓?fù)?，如三電平、IGBT/SiC MOSFET混并等方案，都可以借助BASiC™基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(yōu)勢(shì)而加速了產(chǎn)業(yè)化落地。 根據(jù)技術(shù)和商業(yè)評(píng)估，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項(xiàng)非常有前景的封裝技術(shù)，有望在在單位功率成本、功率密度、產(chǎn)品交付和迭代速度等方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越傳統(tǒng)封裝，成為未來(lái)電力電子應(yīng)用的新方向。   BMF240R12E2G3是BASiC™基半股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級(jí)全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。 B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基半股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機(jī)和工業(yè)電源中。 BASiC™國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350系列，此驅(qū)動(dòng)芯片專(zhuān)為碳化硅MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開(kāi)通，還可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT等功率器件。     為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶(hù)獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對(duì)成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類(lèi)型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。     基半BASiC一級(jí)代理商專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™I型三電平IGBT模塊，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本™混合SiC-IGBT單管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET專(zhuān)用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD25350，單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片（帶VCE保護(hù)）BTD3011R,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶(hù)用光伏逆變器，戶(hù)用光儲(chǔ)一體機(jī)，儲(chǔ)能變流器，儲(chǔ)能PCS,雙向LLC電源模塊，儲(chǔ)能PCS-Buck-Boost電路，光儲(chǔ)一體機(jī),PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓?fù)涞刃履茉搭I(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、儲(chǔ)能變流器PCS、OBC車(chē)載充電器，熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)器，射頻電源，PET電力電子變壓器，氫燃料空壓機(jī)驅(qū)動(dòng)，商用空調(diào)PFC,大功率工業(yè)電源，工商業(yè)儲(chǔ)能變流器，變頻器，輔助電源，高頻逆變焊機(jī)，高頻伺服驅(qū)動(dòng)，AI服務(wù)器電源，算力電源，數(shù)據(jù)中心電源，機(jī)房UPS等領(lǐng)域與客戶(hù)戰(zhàn)略合作，基半BASiC一級(jí)代理商全力支持中國(guó)電力電子工業(yè)發(fā)展！