BASiC™基半股份一級代理商全力推進SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控!
為什么在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命!
儲能變流器(Power Conversion System)英文簡稱PCS,可控制蓄電池的充電和放電過程,進行交直流的變換,在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負荷供電。 儲能變流器PCS由DC/AC 雙向變流器、控制單元等構(gòu)成。 根據(jù)功率指令的符號及大小控制變流器對電池進行充電或放電,實現(xiàn)對電網(wǎng)有功功率及無功功率的調(diào)節(jié)。PCS儲能變流器,全稱Power Conversion System,是儲能系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備,用于實現(xiàn)儲能電池與電網(wǎng)之間的能量轉(zhuǎn)換和雙向流動。它能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電或?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流電,以滿足電網(wǎng)對儲能系統(tǒng)的充放電需求。PCS儲能變流器在儲能系統(tǒng)中扮演著“橋梁”的角色,連接著儲能電池和電網(wǎng),確保儲能系統(tǒng)的高效、穩(wěn)定運行。
構(gòu)網(wǎng)儲能變流器PCS技術(shù)作為一種基于電力電子和數(shù)字化的創(chuàng)新技術(shù),可在新型電力系統(tǒng)建設(shè)過程中,有效提升電力系統(tǒng)穩(wěn)定性,具備多場景推廣價值:
在發(fā)電側(cè),針對清潔能源基地,弱電網(wǎng)區(qū)域新能源集中接入場景,可以大大提升新能源場站主動支撐能力,實現(xiàn)更高比例新能源并網(wǎng)。
在電網(wǎng)側(cè),針對特高壓線路受端,負荷中心電源空心化區(qū)域等場景,可以增強系統(tǒng)的靈活調(diào)節(jié)、可靠運行能力。
在用電側(cè),針對電網(wǎng)末端源網(wǎng)荷儲、微電網(wǎng)供電區(qū)域,以及高原、礦山、島嶼,可以實現(xiàn)100%新能源區(qū)域電網(wǎng)以及并離網(wǎng)供電。
PCS儲能變流器的應(yīng)用場景
1.能量時移:在用戶側(cè)儲能系統(tǒng)中,PCS儲能變流器可以用于能量時移,將白天時段內(nèi)光伏多余的發(fā)電量儲存起來,在晚上或者陰雨天氣無光伏發(fā)電量的時段內(nèi)再通過PCS釋放出來,可以實現(xiàn)光伏發(fā)電的最大化自發(fā)自用。
2.峰谷套利:在用戶側(cè)儲能系統(tǒng)中,尤其是執(zhí)行分時電價的工商業(yè)園區(qū),PCS儲能變流器可用于進行峰谷套利,通過在電價低廉的時間段進行充電,在電價高昂的時間段進行放電,實現(xiàn)低充高放進行套利,達到節(jié)省園區(qū)整體用電成本的目的。
3.動態(tài)擴容:在電力容量受限的場景,類似電動汽車充電站場景,通過PCS儲能變流器配置儲能電池來進行動態(tài)擴容,充電高峰時候,PCS儲能變流器進行放電,提供額外的功率支持;充電低峰時,PCS儲能變流器進行充電,儲存低價的電能進行備用,既能實現(xiàn)峰谷套利,又能給充電場站進行動態(tài)擴容。
4. 微電網(wǎng)系統(tǒng):在微電網(wǎng)系統(tǒng)中,PCS儲能變流器能夠?qū)崿F(xiàn)分布式電源與儲能系統(tǒng)的協(xié)調(diào)控制,提高微電網(wǎng)的穩(wěn)定性和供電質(zhì)量。通過PCS儲能變流器的精確功率控制和智能能量管理,可以實現(xiàn)微電網(wǎng)系統(tǒng)中電源和負荷的平衡和優(yōu)化調(diào)度。
5. 電力系統(tǒng)調(diào)頻調(diào)峰:在電力系統(tǒng)中,PCS儲能變流器可以用于調(diào)頻調(diào)峰,提高電網(wǎng)的穩(wěn)定性和可靠性。當電網(wǎng)負荷高峰時,PCS儲能變流器可以釋放儲能電池中的能量,為電網(wǎng)提供額外的功率支持;當電網(wǎng)負荷低谷時,PCS儲能變流器則可以吸收電網(wǎng)中的多余能量,為儲能電池充電,以備后用。
PCS儲能變流器的發(fā)展趨勢
目前在大型儲能電站中普遍采用集中式PCS,一臺大功率PCS同時控制多簇并聯(lián)的電池,電池簇間的不均衡問題得不到有效的處理;而組串式PCS,一臺中小功率的PCS只控制一簇電池,實現(xiàn)一簇一管理,有效規(guī)避電池簇間的木桶效應(yīng),提升系統(tǒng)壽命,提高全壽命周期放電容量,組串式PCS規(guī)?;瘧?yīng)用趨勢已見雛形,在工商業(yè)儲能一體柜中組串式PCS已成為行業(yè)主流方案,未來在大型儲能電站中也將實現(xiàn)大規(guī)模化應(yīng)用。
隨著新能源和智能電網(wǎng)的快速發(fā)展以及儲能技術(shù)的不斷進步,PCS儲能變流器將面臨更大的發(fā)展機遇和挑戰(zhàn)。未來,PCS儲能變流器將朝著更高效、更智能、更靈活的方向發(fā)展。
IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會表現(xiàn)出嚴重的局限性,由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊,開關(guān)頻率增加,從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運行,開關(guān)損耗相對較低,從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進步使變流器總體積大幅度減少,效率提高,從而能夠在較低溫度下運行并可能延長組件的使用壽命。
為了滿足PCS儲能變流器更高效的需求,使用基本公司碳化硅SiC模塊全面取代IGBT模塊,可以提升系統(tǒng)效率1%,有效提升客戶在PCS生命周期里的收益。SiC模塊全面取代IGBT模塊,從而將PCS儲能變流器開關(guān)損耗降低高達 70% 至 80%,在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC模塊全面革掉IGBT模塊的命!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在汽車電驅(qū)動應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC-PIM模塊在中央空調(diào),商用空套,熱泵應(yīng)用中全面取代IGBT-PIM模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC-IPM模塊在家用空調(diào)壓縮機,汽車空調(diào)熱泵熱管理,伺服驅(qū)動應(yīng)用中全面取代IGBT-IPM模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在高壓變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在高性能通用變頻器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在集中式充電樁電源模塊應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在風電變流器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
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BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在光伏逆變器應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在逆變焊機應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在UPS應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在機車牽引輔助電源應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
BASiC™基半股份一級代理商致力于推動碳化硅SiC模塊在大功率感應(yīng)加熱電源應(yīng)用中全面取代IGBT模塊!
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET模塊正在替代英飛凌三菱賽米控富士IGBT模塊!
基本SiC模塊替代Infineon英飛凌IGBT模塊,基本SiC模塊替代三菱IPM模塊,基本SiC模塊替代Semikron賽米控IGBT模塊,基本SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊,基本SiC模塊替代Fuji富士IGBT模塊!
使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅電力電子系統(tǒng)!-基半BASiC一級代理商專業(yè)分銷
使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT變流器,實現(xiàn)更高的變流效率,更小的變流體積重量!更低的變流成本!
隨著銅價暴漲高燒不退,如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點,使用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊,可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本(電感磁性元件,散熱系統(tǒng),整機重量),電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代,未來已來!基半BASiC一級代理商專業(yè)分銷國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™SiC碳化硅MOSFET!基半BASiC一級代理商全力推進基本公司™國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT!
基半BASiC一級代理商致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT,全力推動國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命!Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)多場站級自同步幅頻調(diào)制技術(shù),實現(xiàn)了自同步的并聯(lián)構(gòu)網(wǎng),提升了主動快速無功響應(yīng)、有功支撐、故障穿越、抗沖擊性負荷和帶載同步黑啟動的能力,實現(xiàn)了多場景全工況構(gòu)網(wǎng)、電網(wǎng)主動支撐、并機環(huán)流有效抑制和多場站級大規(guī)模自同步穩(wěn)定運行。
SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)寬頻自穩(wěn)和致穩(wěn)控制技術(shù),實現(xiàn)了不同電網(wǎng)規(guī)模、不同電網(wǎng)強度條件下的穩(wěn)定并網(wǎng)和寬頻振蕩抑制,提升了與光伏、風電、同步發(fā)電機等多類型電源并列穩(wěn)定運行的能力,拓展了構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)的應(yīng)用場景。
SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)智能組串式儲能雙級變換架構(gòu)下電壓與有功功率解耦控制技術(shù),有助于支撐電網(wǎng)穩(wěn)定,保障了儲能系統(tǒng)安全,提升了儲能系統(tǒng)可用度和擴容升級能力;研發(fā)了精細化智能電池管理技術(shù),提升了全SOC范圍恒功率輸出能力。
SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)了暫態(tài)高倍率有功、無功快速支撐。提升了在復(fù)雜、惡劣環(huán)境條件下的長時間可靠運行能力;構(gòu)建了安全可靠的底層核心器件設(shè)計、制造的能力體系。
基半BASiC一級代理商致力于國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基半BASiC一級代理商致力于SiC模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,SiC單管在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT單管,650V SiC碳化硅MOSFET在電源應(yīng)用中全面取代Super Junction超結(jié)MOSFET!
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng),1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器,1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS,1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器,固態(tài)變壓器等。
大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案,控制復(fù)雜,頻率低,采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET進行兩電平改造,控制簡單可靠,頻率提升,電感成本降低,MPPT部分提升效率,降低成本。
IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展,但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗,從而提高開關(guān)頻率。進一步的,可以優(yōu)化濾波器組件,相應(yīng)的損耗會下降,從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊,與同樣封裝的Si IGBT模塊相比,功率損耗可以降低約70%左右,可以將開關(guān)頻率提5倍(實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化),同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。
未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進,更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向,體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此,BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET,該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗,以及更高可靠性等優(yōu)越性能,可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。
為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應(yīng)用需求,BASiC™基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET,產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低導(dǎo)通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應(yīng)用需求,BASiC™基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET,可主要應(yīng)用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。
B3M040120Z是BASiC™基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層,提升可靠性,相對于上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進一步提升。
相較于傳統(tǒng)封裝形式,BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導(dǎo)體的通流能力可以提升約40%,或者同樣電流輸出使用的半導(dǎo)體用量減少1/3。同樣功率輸出條件下,功率模塊物料成本有望降低20%。PCB布局設(shè)計相對于傳統(tǒng)封裝設(shè)計更加靈活,大大加快了工程開發(fā)的迭代速度和客戶交付速度。受到封裝限制而難以在傳統(tǒng)逆變器中實現(xiàn)的高級電路拓撲,如三電平、IGBT/SiC MOSFET混并等方案,都可以借助BASiC™基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(yōu)勢而加速了產(chǎn)業(yè)化落地。
根據(jù)技術(shù)和商業(yè)評估,BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項非常有前景的封裝技術(shù),有望在在單位功率成本、功率密度、產(chǎn)品交付和迭代速度等方面遠遠超越傳統(tǒng)封裝,成為未來電力電子應(yīng)用的新方向。
BMF240R12E2G3是BASiC™基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊,產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板,在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基半股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊,主要應(yīng)用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。
BASiC™國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本公司™推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列,此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計,可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通,還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。
為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢,同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益,一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸,加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降,使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。
基半BASiC一級代理商專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™單管SiC碳化硅MOSFET,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™I型三電平SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本™混合SiC-IGBT單管,BASiC基本™混合SiC-IGBT模塊,碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350,單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護)BTD3011R,BASiC基本™混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機驅(qū)動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機驅(qū)動,商用空調(diào)PFC,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,輔助電源,高頻逆變焊機,高頻伺服驅(qū)動,AI服務(wù)器電源,算力電源,數(shù)據(jù)中心電源,機房UPS等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,基半BASiC一級代理商全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!