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第二代SiC碳化硅MOSFET

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產(chǎn)品品牌 未填 - 上海 SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,上海SiC碳化硅MOSFET,華東光伏MPPT碳化硅MOSFET,上海充電樁兩電平SiC碳化硅MOSFET,蘇州國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,無錫碳化硅器件替代IGBT,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,杭州儲能變流器PCS碳…

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[第二代SiC碳化硅MOSFET]商品信息

 專業(yè)分銷碳化硅SiC功率MOSFE,碳化硅MOSFET模塊,單管IGBT,IGBT模塊,三電平IGBT模塊,I型三電平IGBT模塊,T型三電平IGBT模塊,混合SiC-IGBT單管,混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅(qū)動芯片BTD5350,雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD21520,單通道隔離驅(qū)動芯片(帶VCE保護)BTD3011,混合SiC-IGBT三電平模塊應(yīng)用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領(lǐng)域。在光伏逆變器、光儲一體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機驅(qū)動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機驅(qū)動,大功率工業(yè)電源,工商業(yè)儲能變流器,變頻器,變槳伺服驅(qū)動輔助電源,高頻逆變焊機,高頻伺服驅(qū)動等領(lǐng)域與客戶戰(zhàn)略合作,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!   專業(yè)分銷全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅(qū)動器,高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。   再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升,產(chǎn)品類型進一步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。   碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。   第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。   第二代碳化硅MOSFET亮點 更低比導(dǎo)通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。   更低器件開關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險。   更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。

  更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達到175°C,提高器件高溫工作能力。   第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2MH,B2MZ,B2MR,B2MZ。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。 B2M030120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZAM1H,安森美NTH4LM3S以及C3MK。 B2MZ國產(chǎn)替代英飛凌IMYHM1H。 B2M035120YP,B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZAM1H,安森美NTH4LM3S,NTH4LSC1以及C3MK。 B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZAM1H,安森美NTH4LSC1,NTH4LM3S以及C3MK。 B2MR國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBGM1以及C2MJ。 B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHLM3S。 B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZM1H,安森美NVH4LM3S以及C3MK-A   NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓撲結(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用為廣泛的多電平拓撲結(jié)構(gòu)。近年來隨著電力電子技術(shù)在電力行業(yè)的發(fā)展,NPC三電平技術(shù)開始越來越多的應(yīng)用到各個領(lǐng)域,包括光伏逆變器、風(fēng)電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應(yīng)用。NPC拓撲常用的有兩種結(jié)構(gòu),就是我們常說的“I”字型(也稱NPC1)和“T”字型(也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一種NPC1的改進型,這些年隨著器件的發(fā)展,ANPC也開始有一些適合的應(yīng)用。   在分時電價完善、峰谷電價差拉大、限電事件頻發(fā)等多重因素驅(qū)動下,工商業(yè)儲能的經(jīng)濟性明顯提升。工商業(yè)儲能是用戶側(cè)儲能系統(tǒng)的主要類型之一,可以大化提升光伏自發(fā)自用率,降低工商業(yè)業(yè)主的電費開支,助力企業(yè)節(jié)能減排。 工商業(yè)儲能裝機有望在政策鼓勵、限電刺激、電價改革等利好因素刺激下進入高速增長期,復(fù)合增速有望持續(xù)飆升。   

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