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BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色

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BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色:http://taishanlvcha.com/news/511714.html
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傾佳電子專業(yè)分銷的基本隔離驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品主要有BTD21520xx是一款雙通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,輸出拉灌峰值電流典型值4A/6A,絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW14封裝、3000Vrms@SOP16封裝;抗干擾能力強(qiáng),高達(dá)100V/ns;低傳輸延時(shí)至45ns;分別提供 3 種管腳配置:BTD21520M提供禁用管腳(DIS)和死區(qū)設(shè)置(DT),BTD21520S提供禁用管腳(DIS), BTD21520E 提供單一PWM輸入;副邊VDD欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選:分別是5.7V和8.2V。主要規(guī)格有BTD21520MAWR,BTD21520MBWR,BTD21520SAWR,BTD21520SBWR,BTD21520EAWR,BTD21520EBWR,‍BTD21520MAPR,BTD21520MBPR,BTD21520SAPR,BTD21520SBPR,BTD21520EAPR,BTD21520EBPR,BTD5350xx是一款單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)IC,輸出峰值電流典型值10A, 絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW8封裝,3000Vrms@SOP8封裝;抗干擾能力強(qiáng),高達(dá)100V/ns;傳輸延時(shí)低至60ns;分別提供 3 種管腳配置:BTD5350M 提供門極米勒鉗位功能,BTD5350S 提供獨(dú)立的開通和關(guān)斷輸出管腳,BTD5350E 對副邊的正電源配置欠壓保護(hù)功能;副邊VCC欠壓保護(hù)點(diǎn)兩種可選:分別是8V和11V。主要規(guī)格有BTD5350MBPR,BTD5350MCPR,BTD5350MBWR,BTD5350MCWR,BTD5350SBPR,BTD5350SCPR,BTD5350SBWR‍,BTD5350SCWR,BTD5350EBPR,BTD5350ECPR,BTD5350EBWR,BTD5350ECWR,BTD3011R是一款單通道智能隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,采用磁隔離技術(shù);絕緣電壓高達(dá)5000Vrms@SOW16封裝;輸出峰值電流典型值15A;管腳功能集成功率器件短路保護(hù)和短路保護(hù)后軟關(guān)斷功能,集成原副邊電源欠壓保護(hù);集成副邊電源穩(wěn)壓器功能,此穩(wěn)壓器可以根據(jù)副邊電源輸入電壓,使驅(qū)動(dòng)管腳自動(dòng)分配正負(fù)壓,適用在給電壓等級1200V以內(nèi)的IGBT或者碳化硅 MOSFET驅(qū)動(dòng)。BTL2752x 系列是一款雙通道、高速、低邊門極驅(qū)動(dòng)器,輸出側(cè)采用軌到軌方式;拉電流與灌電流能力可高達(dá) 5A,上升和下降時(shí)間低至 7ns 與 6ns;芯片的兩個(gè)通道可并聯(lián)使用,以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流能力;信號輸入腳最大可抗-5V的持續(xù)負(fù)壓,支持4個(gè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng):BTL27523帶使能雙路反相,BTL27523B不帶使能雙路反相 和 BTL27524帶使能雙路同相,BTL27524B不帶使能雙路同相。主要規(guī)格:BTL27523R,BTL27523BR,BTL27524R,BTL27524BR
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傾佳電子專業(yè)分銷碳化硅MOSFET專用雙通道隔離驅(qū)動(dòng)IC-BTD25350,原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置,副方帶米勒鉗位功能:
BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應(yīng)用場景:
充電樁電源模塊后級LLC用SiC MOSFET 方案
光伏儲(chǔ)能高壓電池BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高頻APF,用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案
空調(diào)壓縮機(jī)三相全橋SiC MOSFET方案
OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案
服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案
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傾佳電子專業(yè)分銷基本國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng),機(jī)車輔助電源,儲(chǔ)能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機(jī),超高頻伺服驅(qū)動(dòng)器,高速電機(jī)變頻器等,光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module,儲(chǔ)能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲(chǔ)碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
 
基本再度亮相全球功率半導(dǎo)體展會(huì)——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發(fā)布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產(chǎn)品性能大幅提升,產(chǎn)品類型進(jìn)一步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。
 
傾佳電子專業(yè)分銷的BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色:
 
1.出類拔萃的可靠性:相對競品較為充足的設(shè)計(jì)余量來確保大規(guī)模制造時(shí)的器件可靠性。
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實(shí)測在1700V左右,高于市面主流競品,擊穿電壓BV設(shè)計(jì)余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動(dòng),能夠確保大批量制造時(shí)的器件可靠性,這是BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET最關(guān)鍵的品質(zhì). 
 
2.可圈可點(diǎn)的器件性能:同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關(guān)性能。
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的,帶來關(guān)斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的,優(yōu)于部分海外競品,特別適用于LLC應(yīng)用.
 
Ciss:輸入電容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和:它影響延遲時(shí)間;Ciss越大,延遲時(shí)間越長。BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。
Crss:反向傳輸電容(Crss=Cgd) ⇒柵極-漏極電容:Crss越小,漏極電流上升特性越好,這有利于MOSFET的損耗,在開關(guān)過程中對切換時(shí)間起決定作用,高速驅(qū)動(dòng)需要低Crss。
Coss:輸出電容(Coss=Cgd+Cds)⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和:它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大,關(guān)斷dv/dt減小,這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。
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傾佳電子專業(yè)分銷的基本B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:
• 比導(dǎo)通電阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 開關(guān)損耗降低了約30%
• 降低Coss參數(shù),更適合軟開關(guān)
• 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)
• 最大工作結(jié)溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結(jié)溫Tj=175℃通過測試
• 優(yōu)化柵氧工藝,提高可靠性
• 高可靠性鈍化工藝
• 優(yōu)化終端環(huán)設(shè)計(jì),降低高溫漏電流
• AEC-Q101
 
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制,雙向 AC/DC、電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC)/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ,雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制,直流配網(wǎng)的電力電子變換器。SiC MOSFET越來越多地用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,因?yàn)樗鼈兛梢詽M足這些應(yīng)用對尺寸、重量和/或效率的嚴(yán)格要求.
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碳化硅 (SiC) MOSFET功率半導(dǎo)體技術(shù)代表了電力電子領(lǐng)域的根本性變革。SiC MOSFET 的價(jià)格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 貴。然而,在評估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整體電力電子系統(tǒng)價(jià)值時(shí),需要考慮整個(gè)電力電子系統(tǒng)和節(jié)能潛力。需要仔細(xì)考慮以下電力電子系統(tǒng)節(jié)?。?第一降低無源元件成本,無源功率元件的成本在總體BOM成本中占主導(dǎo)地位。提高開關(guān)頻率提供了一種減小這些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散熱要求,使用碳化硅 (SiC) MOSFET可顯著降低散熱器溫度高達(dá) 50%,從而縮小散熱器尺寸和/或消除風(fēng)扇,從而降低設(shè)備生命周期內(nèi)的能源成本。 通常的誘惑是在計(jì)算價(jià)值主張時(shí)僅考慮系統(tǒng)的組件和制造成本。在考慮碳化硅 (SiC) MOSFET的在電力電子系統(tǒng)里的價(jià)值時(shí),考慮節(jié)能非常重要。在電力電子設(shè)備的整個(gè)生命周期內(nèi)節(jié)省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET價(jià)值主張的一個(gè)重要部分。
 
傾佳電子專業(yè)分銷的基本第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。
 
基本第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。
 
更低器件開關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。
 
更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
 
更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C,提高器件高溫工作能力。
 
基本第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M160120H,B2M160120Z,B2M160120R,B2M080120H,B2M080120Z,B2M80120R,B2M018120H,B2M018120Z,B2M020120Y,B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M032120Y,B2M018120Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M032120Y國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K,意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Y國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K,意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S,C3M0075120K-A,意法SCT070W120G3-4AG。
 
碳化硅 (SiC) MOSFET出色的材料特性使得能夠設(shè)計(jì)快速開關(guān)單極型器件,替代升級雙極型 IGBT  (絕緣柵雙極晶體管)開關(guān)。碳化硅 (SiC) MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的開關(guān)頻率、更少的散熱和節(jié)省空間——這些好處反過來也降低了總體系統(tǒng)成本。SiC-MOSFET的Vd-Id特性的導(dǎo)通電阻特性呈線性變化,在低電流時(shí)SiC-MOSFET比IGBT具有優(yōu)勢。
與IGBT相比,SiC-MOSFET的開關(guān)損耗可以大幅降低。采用硅 IGBT 的電力電子裝置有時(shí)不得不使用三電平拓?fù)鋪韮?yōu)化效率。當(dāng)改用碳化硅 (SiC) MOSFET時(shí),可以使用簡單的兩級拓?fù)?。因此所需的功率元件?shù)量實(shí)際上減少了一半。這不僅可以降低成本,還可以減少可能發(fā)生故障的組件數(shù)量。SiC MOSFET 不斷改進(jìn),并越來越多地加速替代以 Si IGBT 為主的應(yīng)用。 SiC MOSFET 幾乎可用于目前使用 Si IGBT 的任何需要更高效率和更高工作頻率的應(yīng)用。這些應(yīng)用范圍廣泛,從太陽能和風(fēng)能逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)到感應(yīng)加熱系統(tǒng)和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
 
隨著自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車、先進(jìn)建筑系統(tǒng)和智能電器等行業(yè)的發(fā)展,對增強(qiáng)這些機(jī)電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長。碳化硅 MOSFET (SiC MOSFET) 的突破重新定義了歷史上使用硅 IGBT (Si IGBT) 進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機(jī)的功能。這項(xiàng)創(chuàng)新擴(kuò)展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的能力。Si IGBT 因其高電流處理能力、快速開關(guān)速度和低成本而歷來用于直流至交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。最重要的是,Si IGBT 具有高額定電壓、低電壓降、低電導(dǎo)損耗和熱阻抗,使其成為制造系統(tǒng)等高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的明顯選擇。然而,Si IGBT 的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它們非常容易受到熱失控的影響。當(dāng)器件溫度不受控制地升高時(shí),就會(huì)發(fā)生熱失控,導(dǎo)致器件發(fā)生故障并最終失效。在高電流、電壓和工作條件常見的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,例如電動(dòng)汽車或制造業(yè),熱失控可能是一個(gè)重大的設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
 
電力電子轉(zhuǎn)換器提高開關(guān)頻率一直是研發(fā)索所追求的方向,因?yàn)橄嚓P(guān)組件(特別是磁性元件)可以更小,從而產(chǎn)生小型化優(yōu)勢并節(jié)省成本。然而,所有器件的開關(guān)損耗都與頻率成正比。IGBT 由于“拖尾電流”以及較高的門極電容的充電/放電造成的功率損耗,IGBT 很少在 20KHz 以上運(yùn)行。SiC MOSFET在更快的開關(guān)速度和更低的功率損耗方面提供了巨大的優(yōu)勢。IGBT 經(jīng)過多年的高度改進(jìn),使得實(shí)現(xiàn)性能顯著改進(jìn)變得越來越具有挑戰(zhàn)性。例如,很難降低總體功率損耗,因?yàn)樵趥鹘y(tǒng)的 IGBT 設(shè)計(jì)中,降低傳導(dǎo)損耗通常會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增加。
 
作為應(yīng)對這一設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的解決方案,SiC MOSFET 具有更強(qiáng)的抗熱失控能力。碳化硅 的導(dǎo)熱性更好,可以實(shí)現(xiàn)更好的設(shè)備級散熱和穩(wěn)定的工作溫度。SiC MOSFET 更適合較溫暖的環(huán)境條件空間,例如汽車和工業(yè)應(yīng)用。此外,鑒于其導(dǎo)熱性,SiC MOSFET 可以消除對額外冷卻系統(tǒng)的需求,從而有可能減小總體系統(tǒng)尺寸并降低系統(tǒng)成本。
 
由于 SiC MOSFET 的工作開關(guān)頻率比 Si IGBT 高得多,因此它們非常適合需要精確電機(jī)控制的應(yīng)用。高開關(guān)頻率在自動(dòng)化制造中至關(guān)重要,高精度伺服電機(jī)用于工具臂控制、精密焊接和精確物體放置。此外,與 Si IGBT 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)相比,SiC MOSFET 的一個(gè)顯著優(yōu)勢是它們能夠嵌入電機(jī)組件中,電機(jī)控制器和逆變器嵌入與電機(jī)相同的外殼內(nèi)。使用SiC MOSFET 作為變頻器或者伺服驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是,由于 MOSFET 的線性損耗與負(fù)載電流的關(guān)系,它可以在所有功率級別保持效率曲線“平坦”。SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動(dòng)器的柵極電阻的選擇是為了首先避免使用外部輸出濾波器,以保護(hù)電機(jī)免受高 dv/dt 的影響(只有電機(jī)電纜長度才會(huì)衰減 dv/dt)。 SiC MOSFET變頻伺服驅(qū)動(dòng)器相較于IGBT變頻伺服驅(qū)動(dòng)器在高開關(guān)頻率下的巨大效率優(yōu)越性.
 
盡管 SiC MOSFET 本身成本較高,但某些應(yīng)用可能會(huì)看到整個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的價(jià)格下降(通過減少布線、無源元件、熱管理等),并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)之間進(jìn)行復(fù)雜的設(shè)計(jì)和成本研究分析,但可能會(huì)提高效率并節(jié)省成本?;?SiC 的逆變器使電壓高達(dá) 800 V 的電氣系統(tǒng)能夠顯著延長電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程并將充電時(shí)間縮短一半。
 
LLC,移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲(chǔ)能的大小,值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS;更快的關(guān)斷速度可以減少對儲(chǔ)能電感能量的消耗,影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開關(guān)兩端電壓能達(dá)到的最低值;因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗.在這些參數(shù)方面,B2M第二代碳化硅MOSFET跟競品比,B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小,需要的死區(qū)時(shí)間初始電流??;B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力會(huì)強(qiáng)一些。B2M第二代碳化硅MOSFET體二極管的Vf和trr 比競品有較多優(yōu)勢,能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來看,比起競品,LLC,移相全橋應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會(huì)更好.
 
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色:http://taishanlvcha.com/news/511714.html
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